NCE2060K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 单片机、 智能音箱、 固态硬盘、 遥控器、 稳压电源 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE2060K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：NCE N沟道增强型功率MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 录像机、 实验室离心机、 变压器、 专用集成电路（ASIC）、 射频连接器、 频谱分析仪、 DVD播放器、 MRI扫描仪 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE4953 | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
| NCE3401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W |
| NCE40P05Y | P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W |
| NCE8295AD | MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L |
| NCE0102 | N沟道增强型功率MOSFET VDS=100V ID=2A PD=1.25W |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP60T20 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L |
| NCEP035N85GU | NCEP035N85GU |
