NCE3025Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs

Name: NCE3025Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCE3025Q 型号参数

NCE3025Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如气体报警器、现场可编程门阵列（FPGA）、智能音箱、电子词典、 LCD显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、遥控器、声卡、复印机、安防摄像头、 LED显示器、 X光机、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCEP023N10T	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE60P50	MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
NCE6050A	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE6020AK	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W
NCE20P45Q	MOSFETs 1个P沟道耐压:19V 电流:45A DFN8_3.3X3.3MM
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W

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