NCEP85T11是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 计算机、 光纤连接器、 电子书阅读器、 实验室离心机、 电子净水器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP85T11
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 频谱分析仪、 电子助听器、 人脸识别设备、 手机、 LED显示器、 心电图仪、 洗衣机、 汽车 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP0114AS | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL |
| NCE60P04R | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223 |
| NCE4060K | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W |
| NCE6020AK | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W |
| NCE6045XG | |
| NCE0103Y | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L |
| NCE65T900F | MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE3400X | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3 |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
