NCE3420_NCE_无锡新功率_SOT-23_MOSFETs

NCE3420 型号参数

NCE3420是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、微波炉、安防摄像头、洗衣机、 LED照明灯，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE6075K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W
NCE30P30K	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W
NCE7560K	N沟道漏源电压(Vdss)：75V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：140W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCEP6090AGU	MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W

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