NCE30D2519K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子计算器、 智能音箱、 电动自行车控制器、 机械硬盘、 LED显示器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE30D2519K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电磁炉、 电子罗盘、 安防摄像头、 LED显示器、 手机、 电子搅拌器、 微波炉、 电路板 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3050K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W |
| NCE3090K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
| NCEP0178A | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L |
| NCE6050A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCEP4090AGU | MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V |
| NCEP1520K | N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W |
| NCEP60T12AK | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
