NCEP30T21GU是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP3播放器、 电源供应器、 笔记本电脑、 电子书阅读器、 逻辑分析仪 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP30T21GU
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 调制解调器、 电子手表、 电子除湿机、 智能手环、 电子按摩器、 电子厨房计时器、 摄像机、 电子阅读器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP078N10G | VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCE6003M | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W |
| NCE6075K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：110W |
| NCE3065K | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W |
| NCEP1545G | MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP |
| NCE3050K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W |
| NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L |
