NCE30H10是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 录像机、 心电图仪、 电子气压计、 烟雾报警器、 示波器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE30H10
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 LED照明灯、 CT扫描仪、 智能安防摄像头、 变压器、 示波器、 无线网卡、 电子计算器、 万用表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0117 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
| NCE603S | N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W |
| NCEP60T15G | MOSFETs 1个N沟道 耐压:60V 电流:150A DFN8_5X6MM |
| NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L |
| NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
| NCE0140KA | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE40P05Y | P沟道 Vdss=40V Id=5.3A Pd=2W |
| NCEP1520K | N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W |
