NCE60P82AK是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子烤箱温度计、 光纤连接器、 信号发生器、 电子驱蚊器、 智能家居控制器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60P82AK
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 稳压电源、 电子罗盘、 RFID读写器、 不间断电源（UPS）、 电子白板、 智能家居控制器、 GPS定位器、 蓝牙音箱 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE80H12D | MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W |
| NCE6050KA | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
| NCE82H140D | N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W |
| NCE30H12 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W |
| NCE60ND18G | N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCEP0178A | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
