NCE80H12D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 吉他效果器、 电子湿度计、 集成电路板、 网络适配器、 音频线材 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE80H12D
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 摄像机、 逆变器、 视频线材、 功放器、 电视机、 气体报警器、 X光机、 射频连接器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
| NCE65T900F | MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F |
| NCE3401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W |
| NCE6080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCE3407 | P沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3416 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE0130KA | TO252 SMT 100V 30A |
| NCE70T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE01ND03S | 双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W |
| NCE3080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W |
