NCE70T360F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 专用集成电路（ASIC）、 摄像机、 电子榨汁机、 模拟信号处理器（ASP）、 智能照明系统 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE70T360F
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 不间断电源（UPS）、 液晶显示器、 微波炉、 扫描仪、 MP3播放器、 电动自行车、 电子灭蚊灯、 MRI扫描仪 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE2303 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W |
| NCE3400 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE2030K | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCE8295AD | MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L |
| NCE3401 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE2301 | 场效应管MOSFET P沟道 -20V -3A 64mΩ |
| NCE6008AS | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL |
| NCE6020AK | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W |
