NCE6008AS是品牌NCE无锡新功率,研发制造的MOSFETs产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 电子琴、 电子广告牌、 电子烤箱温度计、 无人机、 摩托车 ,MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:NCE6008AS
- 品牌:无锡新功率(NCE)
- 分类:MOSFETs
- 参数:MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
应用场景
MOSFETs可应用场景,如 电子胎心监测仪、 游戏机、 打印机、 智能家居控制系统、 无人机、 蓝牙音箱、 LED照明灯、 电动自行车 等,想要了解更多MOSFETs相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE0115K | MOSFETs N-Channel Vdss=100V Vgs=±20V Id=15A 50W TO252-2L |
| NCE3018AS | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL |
| NCEP018N85LL | NCEP018N85LL |
| NCE2030K | N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):40W |
| NCE6050A | N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):85W |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCE3010S | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL |
| NCE0103M | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11.5A 功率(Pd):32.6W |
| NCEP85T11 | N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):145W |