NCE60ND18G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 微波炉、 音频线材、 蓝牙音箱、 摄像头、 电子琴 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60ND18G
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子按摩器、 信号发生器、 手机、 笔记本电脑、 投影仪、 虚拟现实头盔、 智能家居控制器、 智能手表 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE01ND03S | 双N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=3A P=2W |
| NCE6050A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
| NCE60P50 | MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3 |
| NCE60P82AK | MOSFETs P-CH 60V 82A 150W TO-252-2L |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
| NCE3007S | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W |
| NCEP0178A | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L |
| NCE4060K | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W |
| NCE40P70K | P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2 |
| NCE6080A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
