NCE6075K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

Name: NCE6075K_NCE_无锡新功率_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6075K 型号参数

NCE6075K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如触摸屏、指纹识别器、数字信号处理器（DSP）、智能家居控制系统、电子门禁卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手环、智能手机、信号发生器、电子加湿器、智能照明系统、显示器、 USB闪存盘、智能插座等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE65T540F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCEP040N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE4953	2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.1A 功率(Pd)：2.5W
NCE4606	MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCE60H15A	N沟道增强型功率MOSFET TO220-3L
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W

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