NCE60P50_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCE60P50_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCE60P50 型号参数

NCE60P50是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、交换机、 LED照明灯、直流电源、电饭煲，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子游戏机手柄、音响系统、固态硬盘、模拟信号处理器（ASP）、摩托车、 USB闪存盘、录像机、电路板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30H10	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L
NCE60P50K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W
NCE65T260	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：33.2W
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0103Y	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT23-3L
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE3407	P沟道增强型功率MOSFET
NCE65T1K2F	MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3

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