NCEP023N10T是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 功放器、 血糖仪、 现场可编程门阵列（FPGA）、 信号发生器、 电动自行车 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP023N10T
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：280A 功率(Pd)：365W TO247
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 交换机、 MP3播放器、 电子阅读器、 电子脱毛器、 智能插座、 示波器、 智能手机、 电子计算器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE6080K | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W |
| NCE2309 | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23 |
| NCE3090K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE40P05S | MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8 |
| NCE3065K | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W |
| NCEP60T20 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：255W TO220-3L |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE30P30K | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W |
| NCEP6090AGU | MOSFETs N-沟道 60V 90A 100W 4.5mΩ@4.5V DFN5X6-8L |
| NCEP026N10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W |
