NCE65T540F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 交流电源、 电子书阅读器、 吸尘器、 电子脱毛器、 安防摄像头 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T540F
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：31.6W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 功放器、 耳机、 固态硬盘、 网络适配器、 数码相机、 音响设备、 液晶显示器、 电子气压计 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCE0157A2 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE60P50K | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：95W |
| NCE30ND09S | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W |
| NCEP018N85LL | NCEP018N85LL |
| NCE3400X | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3 |
| NCE01P30K | MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE603S | N-channel,P-channel VDS=60V SOP8_150MIL |
