NCE01P30K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 交换机、 安防摄像头、 血糖仪、 微波炉、 无线网卡 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE01P30K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能手机、 调制解调器、 电动自行车控制器、 实验室离心机、 电子词典、 吸尘器、 复印机、 功放器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE2309 | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23 |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCEP0178A | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：78A 功率(Pd)：125W TO220-3L |
| NCE80H12D | MOSFETs N-Channel Vdss：80V Id：120A Pd：220W |
| NCE3018AS | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=18A SOP8_150MIL |
| NCEP4090AGU | MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE6020AI | N沟道 Vdss=60V Id=20A Pd=45W |
| NCE7190A | N沟道 漏源电压(Vdss)：71V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：170W TO220-3L |
