NCEP0178A_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCEP0178A_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP0178A 型号参数

NCEP0178A是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 LED照明灯、电源供应器、调音台、电饭煲、无线网卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如饮水机、电子美容仪、现场可编程门阵列（FPGA）、功放器、移动硬盘、电子签到系统、心电图仪、 MP3播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCE01P30K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=65mΩ@4.5V TO252-2L
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE3025Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W
NCEP026N10	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：300W
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE3090K	NCE N沟道增强型功率MOSFET
NCEP039N10D	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：220W

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