NCE65T1K2F是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 直流电源、 实验室离心机、 CT扫描仪、 3D打印机、 虚拟现实头盔 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T1K2F
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=4A TO220F-3
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子搅拌器、 吉他效果器、 电子书阅读器、 MP3播放器、 GPS定位器、 冰箱、 打印机、 稳压电源 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE30P30K | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：60W |
| NCE6045XG | |
| NCE4606 | MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8 |
| NCE3416 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3025Q | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：25W |
| NCEP40T17A | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L |
| NCE3404 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE82H140D | N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W |
| NCE4080 | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L |
| NCE6003M | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W |
