NCEP026N10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCEP026N10_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP026N10 型号参数

NCEP026N10是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MP4播放器、汽车电子控制系统、逆变器、电子计算器、人脸识别设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微处理器、红外感应器、 LCD显示屏、专用集成电路（ASIC）、电子计算器、电子阅读器、 CT扫描仪、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE0110AK	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE2302	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE6080K	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W
NCE2303	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE65T900F	MOS管 N-channel Id=5A VDS=650V TO-220F
NCE60P04R	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223

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