NCE65T360K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能插座、 复印机、 GPS定位器、 B超机、 虚拟现实头盔 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE65T360K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 Vdss：650V Id：11.5A Pd：101W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子血压手环、 智能手机、 电子厨房计时器、 音响系统、 指纹识别器、 信号发生器、 智能照明系统、 射频连接器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE3080KA | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=80A TO252-2L |
| NCE6020AK | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W |
| NCEP1545G | MOS管 N-channel Id=40A VDS=150V DFN8_5X6MM_EP |
| NCEP040N10D | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：210W |
| NCE3420 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE3416 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE30H10 | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：110W TO220-3L |
| NCE55P04S | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W |
| NCE4606 | MOS管 N+P Channel VDS=30V VGS=±20V SOP8 |
| NCE8295A | N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W |
