NCEP02T10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子净水器、 电子手表、 智能插座、 电动车充电器、 吉他效果器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCEP02T10D
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子手表、 微波炉、 红外感应器、 B超机、 智能手环、 电子咖啡机、 固态硬盘、 电子广告牌 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCEP85T16 | N沟道 漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L |
| NCE0110K | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L |
| NCEP01T18 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W |
| NCE01H10D | N-沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W |
| NCEP02T10D | NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L |
| NCE65TF099T | MOS管 N-channel Id=38A VDS=650V TO247 |
| NCE6050A | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W |
| NCE3065K | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W |
| NCE4012S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
| NCE55P04S | 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W |
