NCEP60T15G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: NCEP60T15G_NCE_无锡新功率_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP60T15G 型号参数

NCEP60T15G是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电动车、摄像头、示波器、信号发生器、集成电路板，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如投影仪、智能门锁、电子计算器、 CT扫描仪、固态硬盘、智能家居控制器、功放器、电子气压计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE2030K	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：40W
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L
NCE8295AK	MOSFETs N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A PD=170W TO252-2L
NCE4012S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP85T11	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：145W
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W

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