NCEP85T11_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCEP85T11_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP85T11 型号参数

NCEP85T11是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、网络适配器、电子琴、 OLED显示屏、手机充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如交换机、智能照明系统、话筒（麦克风）、电子驱蚊器、电子秤、光纤连接器、投影仪、电子助听器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE30H12	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：120W
NCE0130KA	TO252 SMT 100V 30A
NCE4009S	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCEP60T12AK	MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCEP01T18	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W
NCE3401	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W
NCEP85T16	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：220W TO220-3L

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