PMN28UNEX_Nexperia_安世_TSOP6_MOSFETs

PMN28UNEX 型号参数

PMN28UNEX是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如汽车电子控制系统、音频功率放大器、电子除螨仪、智能门锁、调制解调器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
PMF170XP,115	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.15V@250uA
PSMN4R8-100BSEJ	MOSFETs N-channel Id=120A VDS=100V SOT404
PSMN3R3-60PLQ	MOS管 N-channel Id=130A VDS=60V SOT78
PSMN8R7-80BS,118	MOS管 N-channel Id=90A VDS=80V SOT404
PHD20N06T,118	MOS管 N-Channel VDS=55V VGS=±20V ID=18A RDS(ON)=77mΩ@10V TO252
2N7002BKMB,315	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=450mA RDS(ON)=1.6Ω@10V DFN1006B-3
BUK9Y3R0-40E,115	MOS管 N-channel Id=100A VDS=40V SOT669
PSMN009-100P,127	MOS管 N-channel Id=75A VDS=100V SOT78
PMDT290UCE,115	类型：1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V；
PSMN1R1-40BS,118	MOS管 N-channel Id=120A VDS=40V SOT404

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