PSMN028-100YS_115_Nexperia_安世_SOT669_MOSFETs

Name: PSMN028-100YS_115_Nexperia_安世_SOT669_MOSFETs
Brand: Nexperia

PSMN028-100YS,115 型号参数

PSMN028-100YS,115是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 RFID读写器、 3D打印机、电子阅读器、可编程逻辑控制器（PLC）、虚拟现实头盔，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手环、集成电路板、扬声器、蓝牙耳机、液晶显示器、电子灭蚊灯、投影仪、智能家居控制器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
PMPB10XNEAX	MOS管 N-channel Id=9A VDS=20V DFN2020MD-6
BUK78150-55A/CUX	MOS管 N-Channel Id=5.5A VDS=55V SOT223
PMXB56ENZ	MOSFETs 30V 400mW SMT SOT1215 3.2A N-Channel
PHB32N06LT,118	MOSFETs 60V 97W SMT SOT404 34A N-Channel
PMH600UNEH	MOS管 N-channel Id=0.8A VDS=20V DFN0606-3
BSN20BKR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=265mA RDS(ON)=2.8Ω SOT23
PMZ200UNEYL	MOSFETs 30V 350mW SMT SOT883 1.4A N-Channel
PMZ600UNEZ	MOS管 N-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1006-3
PMN55ENEX	MOS管 N-channel Id=4.5A VDS=60V TSOP6
PMF250XNEX	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：212mΩ@4.5V,900mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.05nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：81pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8.5pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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