PSMN4R3-30PL_127_Nexperia_安世_SOT78_MOSFETs

Name: PSMN4R3-30PL_127_Nexperia_安世_SOT78_MOSFETs
Brand: Nexperia

PSMN4R3-30PL,127 型号参数

PSMN4R3-30PL,127是品牌Nexperia安世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子翻译器、热水器、智能家居控制器、录像机、烟雾报警器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 OLED显示屏、平板电脑、电子除湿机、电子白板、 X光机、智能门锁、电子门锁、人脸识别设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
PMPB25ENEX	MOS管 N-channel Id=10A VDS=30V DFN2020MD-6
PMPB15XP,115	表面贴装型 P 通道 12 V 8.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
PSMN1R2-25YLC,115	MOS管 N-channel Id=100A VDS=25V SOT669
PSMNR70-30YLHX	MOS管 N-channel Id=300A VDS=30V SOT669
BUK7M22-80EX	MOS管 N-channel Id=37A VDS=80V SOT1210
BUK7Y25-60EX	MOS管 N-channel Id=34A VDS=60V SOT669
PMPB43XPEAX	MOS管 P-channel Id=5A VDS=20V DFN2020MD-6
PMH950UPEH	MOS管 P-channel Id=0.53A VDS=20V DFN0606-3
PSMN7R0-30MLC,115	MOSFETs 30V 57W SMT SOT1210 67A N-Channel
PMF63UNEX	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.9nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：289pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：42pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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