S9012W_CBI_创基_SOT-323_通用三极管

Name: S9012W_CBI_创基_SOT-323_通用三极管
Brand: CBI

S9012W 型号参数

S9012W是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压手环、录像机、不间断电源（UPS）、网卡、电饭煲，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

通用三极管可应用场景，如电子广告牌、可编程逻辑控制器（PLC）、 B超机、智能安防摄像头、声卡、电子琴、 LCD显示屏、电子助听器等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMDT3904DW	三极管
S9012	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：25V 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
BC848B	NPN硅外延晶体管，用于开关和放大器应用
SS8050 SOT23	通用三极管 NPN 电流:1.5A 耐压:25V SOT-23
MMBTSA1576W	Plastic-Encapsulate Transistors,PNP
MMBT3904T	功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：NPN
BC857B	SOT23-3 100mA 100MHz 200mW
MMDT3946DW	晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
2SC1623W	晶体管（NPN）SOT323
MMBT3904T	功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：NPN

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