SC8205A_FM_富满_TSSOP8_3X4.4MM_MOSFETs

SC8205A 型号参数

SC8205A是品牌FM富满，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子加湿器、移动硬盘、显示器、固态硬盘、智能手表，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SC8205A
品牌：富满(FM)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A

MOSFETs可应用场景，如复印机、电子阅读器、 RFID读写器、 LCD显示屏、电子驱蚊器、扬声器、电源供应器、电子空气净化器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
8205B	20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
2302B	30V N 沟道增强型 MOS 场效应管
3415E	9V P 沟道 MOS 场效应管
SC8205A	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A
2302P	N沟道沟道功率MOSFET 20V 3.2A 39mΩ@4.5V,2.5A 0.84W 0.65V@250uA 29pF@10V N Channel 182pF@10V 3.5nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3
3401L	P 沟道增强型 MOS 场效应管 SOT23 VDS=18V ID=3.5A
TC2309	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：62mΩ@4.5V
2301A	9V P 沟道增强型 MOS 场效应管
9926A	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W
3415	12V P 沟道 MOS 场效应管

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