SI2301S_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

SI2301S 型号参数

SI2301S是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、显卡、电子签到系统、电动自行车控制器、电子门禁卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SI2301S
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

MOSFETs可应用场景，如网络适配器、电子血压手环、功放设备、射频连接器、网卡、摄像机、电动自行车控制器、逻辑分析仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

型号相关

热门型号