SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302DS-T1-GE3_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2302DS-T1-GE3 型号参数

SI2302DS-T1-GE3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、摄像机、变压器、烟雾报警器、 X光机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子空气净化器、笔记本电脑、智能门锁、机械硬盘、网卡、电子书阅读器、微处理器、气体报警器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2SJ355	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
NTR4502PT1G-VB	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23
CEM4435A-VB	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBJ1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=45A RDS(ON)=120mΩ@4.5V SOT223
AP2306N	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
WPM2015-3/TR	MOSFETs P沟道耐压:20V 电流:5A SOT-23
IRFR3710ZTRPBF	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:60A TO252
IRLML6302TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
FDD13AN06A0-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:60A TO-252
IRF5803TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23-6

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