SI2309CDS-T1-MS_MSKSEMI_美森科_SOT-23_MOSFETs

SI2309CDS-T1-MS 型号参数

SI2309CDS-T1-MS是品牌MSKSEMI美森科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如安防摄像头、光纤连接器、电子签到系统、直流电源、实验室离心机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SI2309CDS-T1-MS
品牌：美森科(MSKSEMI)
分类：MOSFETs
参数：类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V;

MOSFETs可应用场景，如电动自行车充电器、电子湿度计、智能家居控制器、烤箱、电子脱毛器、电子体重秤、视频线材、稳压电源等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO3400MI-MS	N沟道 SOT23 VDS:30V Id:5.8A PD=350mW
SI2301AI-MS	P沟道 VDS=20V ID=3A PD=1W SOT23
WPM2341-MS	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
2N7002K	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
FDV303N
AO3415AI-MS	P沟道 20V 4A
WPM3407-MS	SOT23-3 VDS:30V Id:4.1A
2SK3019-MS	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW SOT523
SI2309CDS-T1-MS	类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V;
FDC5614P	P沟道漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6

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