SI3139KE-TP_MCC_美微科_SOT-523-3_MOSFETs

Name: SI3139KE-TP_MCC_美微科_SOT-523-3_MOSFETs
Brand: MCC

SI3139KE-TP 型号参数

SI3139KE-TP是品牌MCC美微科，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子翻译器、指纹识别器、蓝牙音箱、电动自行车控制器、 3D打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 B超机、安防监控系统、指纹识别器、 MP4播放器、无线网卡、平板电脑、交换机、智能音箱等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI3404-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW
MCQ9435-TP	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=5.1A SOP8_150MIL
SI2307-TP	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.12.7A 功率(Pd)：1.1W
SI3402-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.3W
SI2333-TP	MOSFETs P-channel VDS=12V ID=6A SOT23
SI3401A-TP	P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：400mW
BSS138-TP	50V 220mA 3.5Ω@10V,220mA 350mW 1.5V@1mA N Channel SOT-23-3
2SK3018-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：0.2W
SI2324A-TP	N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1.2W
SI2301-TP	P沟道增强型场效应晶体管

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