SI4435DY-T1-E3_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs

Name: SI4435DY-T1-E3_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI4435DY-T1-E3 型号参数

SI4435DY-T1-E3是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如移动硬盘、电子罗盘、摄像机、录像机、 OLED显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如音响设备、吉他效果器、 X光机、扫描仪、电子词典、网卡、饮水机、电子琴等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFS4620PBF-VB	MOSFETs N沟道耐压:200V 电流:40A TO-263
NTR4502PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23
MMBF170LT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
AP85U03GM-HF-VB	MOSFETs N沟道 30V 18A 5mΩ@4.5V SOP-8
FDV301N-VB	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
RU30L30M	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:35A QFN8_3X3MM_EP
CEM9936A	MOS管 Dual N-channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRLML5103GTRPBF-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:5.6A SOT-23
PMN50XP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V TSOP6
VBE1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=114mΩ@10V TO252

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