SI7288DP-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAKSO8_MOSFETs

Name: SI7288DP-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAKSO8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7288DP-T1-GE3 型号参数

SI7288DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如烤箱、电子血压计、无线网卡、电子计算器、单片机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如耳机、安防监控系统、 3D打印机、 MP4播放器、电路板、智能音箱、 LED照明灯、电子脱毛器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2312CDS-T1-GE3	MOSFETs N沟道 20V 6A SOT23
IRFU110PBF	通孔 N 通道 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
IRFP32N50KPBF	MOSFETs N-Channel VDS=500V RDS=135mΩ ID=32A P=460W
IRFP460APBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
SI2319DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 40 V 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
IRFP9240PBF	MOS管 P-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=500mΩ@10V TO247AC
SI2315BDS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=50mΩ@4.5V SOT23-3
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SI7149DP-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=23.7A RDS(ON)=5.2mΩ@10V

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