SI7465DP-T1-E3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

Name: SI7465DP-T1-E3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI7465DP-T1-E3-VB 型号参数

SI7465DP-T1-E3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计、录像机、摩托车、变压器、 LED照明灯，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如网卡、调音台、无人机、电子血压计袖带、机器人、电子书阅读器、电子助听器、血糖仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NDS8435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SOP8
NDS331N-NL	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
BS170FTA	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=250mA RDS(ON)=3.1Ω@4.5V SOT23
XP152A12C0MR	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
IRLML2502TRPBF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
VB2103K	MOS管 P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=1.5A RDS(ON)=500mΩ@10V SOT23
IRF7103TRPBF-VB	MOSFETs 2个N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8
CEM4435A-VB	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SI1967DH-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=1.6A RDS(ON)=155mΩ@4.5V SC-70-6
RFD16N05LSM9A-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:35A TO-252

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