SI7483ADP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs

Name: SI7483ADP-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_DFN8_5X6MM_EP_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI7483ADP-T1-GE3-VB 型号参数

SI7483ADP-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如遥控器、逆变器、直流电源、电子气压计、 OLED显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如微波炉、电子签到系统、电动车、模拟信号处理器（ASP）、电子脱毛器、门禁系统、智能音箱、手机充电器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMBT7002K-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:300mA SOT-23
SPD30P06PG-VB	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=62mΩ@4.5V TO252
IRF640NPBF	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=20A RDS(ON)=152mΩ@4.5V TO220AB
NTR4502PT1G	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.4A RDS(ON)=54mΩ@4.5V SOT23
AO4801	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7.3A RDS(ON)=40mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
FDN5630-NL-VB	MOSFETs N沟道耐压:60V 电流:4A SOT-23
SI2302DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A RDS(ON)=28mΩ@4.5V SOT23
IRF7416TRPBF	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VBE1101M	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=114mΩ@10V TO252
FU120N	MOSFETs 1个N沟道耐压:100V 电流:12A TO-251

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