SIR422DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIR422DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIR422DP-T1-GE3 型号参数

SIR422DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如示波器、 RFID读写器、电路板、 3D打印机、电子灭蚊灯，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、电子签到系统、智能插座、固态硬盘、 GPS定位器、扫描仪、电视机、音响设备等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI4401DDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10.2A RDS(ON)=15mΩ@10V SOIC8_150MIL
IRFP250PBF	通孔 N 通道 200 V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AC
SI1416EDH-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SC-70-6
IRFL014TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF9640PBF	通孔 P 通道 200 V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3

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