SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIRA18DP-T1-GE3 型号参数

SIRA18DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如虚拟现实头盔、电子手表、音响系统、 USB闪存盘、智能门锁，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如摄像机、光纤连接器、电子血压计、人脸识别设备、电子胎心监测仪、扬声器、手机充电器、微处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
IRFP460PBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247AC
SQJ459EP-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=52A RDS(ON)=18mΩ@10V
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
IRFB20N50KPBF	通孔 N 通道 500 V 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SIR882ADP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=17.6A RDS(ON)=8.7mΩ@10V
IRFD9024PBF	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=280mΩ@10V
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB

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