SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIRA18DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIRA18DP-T1-GE3 型号参数

SIRA18DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、门禁系统、电子气压计、逆变器、人脸识别设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子除螨仪、实验室离心机、电子气压计、逆变器、 RFID读写器、不间断电源（UPS）、稳压电源、饮水机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2323DS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRFL9014TRPBF	MOSFETs P-沟道 60V 1.8A SOT223
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V
SI2315BDS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=3A RDS(ON)=50mΩ@4.5V SOT23-3
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SUD50P04-08-GE3	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.1mΩ@10V TO252
SI4062DY-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL
SI4128DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 10.9A（Ta） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC

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