Name: SIZ342DT-T1-GE3_Vishay_威世_PowerWDFN8_MOSFETs
Brand: Vishay

SIZ342DT-T1-GE3 型号参数

SIZ342DT-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如蓝牙音箱、虚拟现实头盔、 X光机、遥控器、微处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如电子秤、电子胎心监测仪、路由器、音频线材、智能音箱、话筒（麦克风）、手机充电器、 RFID读写器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
IRF9540SPBF	MOSFET TO263 P-Channel ID=19A
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SQ2389ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 40 V 4.1A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SIB441EDK-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=8.3A RDS(ON)=25.5mΩ@4.5V
SI7117DN-T1-E3	表面贴装型 P 通道 150 V 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI2306BDS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 30 V 3.16A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3