SL60N06_Slkor_萨科微_TO-220-3_MOSFETs

SL60N06 型号参数

SL60N06是品牌Slkor萨科微，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如遥控器、电路板、不间断电源（UPS）、电子书阅读器、电子湿度计，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SL60N06
品牌：萨科微(Slkor)
分类：MOSFETs
参数：类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA

MOSFETs可应用场景，如网络适配器、电子血压手环、无线网卡、血糖仪、摄像头、路由器、汽车电子控制系统、电子驱蚊器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRLML6401	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A RDS(ON)=70mΩ@4.5V SOT23
BSS123	SOT23 250mW
SL3407	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
SL10N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：41.8W
BSS84	SOT23 200mW
NTR4003N	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：560mA 功率(Pd)：690mW
SL2305	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
SL2308	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.8A 功率(Pd)：1.25W
SL2312	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
2SK3018	30V 100mA 7.5mΩ@10V,400mA 200mW 2V@100uA N Channel 50pF@25V +150℃@(Tj) SOT-23

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