WNM4153-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 调制解调器、 蓝牙音箱、 网卡、 洗衣机、 电子白板 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WNM4153-3/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子烤箱温度计、 固态硬盘、 调音台、 智能门锁、 MRI扫描仪、 3D打印机、 汽车电子控制系统、 可编程逻辑控制器（PLC） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WNM2046C-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW |
| WNM2016A-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A |
| WPT2N32-6/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W |
| WPM3407-3/TR | MOSFETs P-Channel Vdss=30V ID=4.4A PD=1W SOT23-3 |
| WPM2341A-3/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W |
| WPM1481-6/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W |
| WNM4153-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW |
| WPM3021-8/TR | WPM3021-8/TR |
| WNM2016-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A |
| WNM2020-3/TR | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 |
