WPT2N32-6/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 X光机、 手机充电器、 单片机、 逻辑分析仪、 平板电脑 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WPT2N32-6/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 显卡、 RFID读写器、 固态硬盘、 DVD播放器、 3D打印机、 摄像头、 智能音箱、 电视机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WPM2341A-3/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W |
| WNM2046C-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：270mW |
| WNM6002-3/TR | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323 |
| WNM2020-3/TR | 功率(Pd)：320mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：310mΩ 4.5V,550mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：830mA 类型：N沟道 |
| WNM4006-3/TR | 单N沟道，45V，1.7A，功率MOSFET |
| WPT2N32-6/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W |
| WNM2077-3/TR | 功率MOSFET 20V 510mA 310mW 600mΩ@4.5V,350mA 1V@250uA N Channel SOT-723 |
| WNM3019-3/TR | 小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET |
| WNM2016-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=2.9A |
| WPM1481-6/TR | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W |
