WNM3019-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 微波炉、 B超机、 智能门锁、 逆变器、 手机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：WNM3019-3/TR
- 品牌：韦尔(WILLSEMI)
- 分类：MOSFETs
- 参数：小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 门禁系统、 OLED显示屏、 电子湿度计、 单片机、 网卡、 交换机、 电路板、 电子血压计袖带 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| WNM4153-3/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW |
| WNM6002-3/TR | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323 |
| WPM3401-3/TR | MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.6A |
| WNM6001-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=500mA |
| WPT2N32-6/TR | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W |
| WPM3021-8/TR | WPM3021-8/TR |
| WPM2019-3/TR | 功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道 |
| WPM3005-3/TR | MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L |
| WNM2021-3/TR | MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323 |
| WNM2016A-3/TR | MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=4.7A |
