Name: WNM6001-3_TR_WILLSEMI_韦尔_SOT-23_MOSFETs
Brand: WILLSEMI

WNM6001-3/TR 型号参数

WNM6001-3/TR是品牌WILLSEMI韦尔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如微波炉、信号发生器、音频功率放大器、摄像头、电动自行车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

产品数据

应用场景

MOSFETs可应用场景，如 OLED显示屏、 DVD播放器、耳机、 CT扫描仪、汽车、稳压电源、万用表、显卡等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WNM3018-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WPM2341A-3/TR	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.7W
WPM2019-3/TR	功率(Pd)：220mW 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：810mΩ 4.5V,450mA 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 类型：P沟道
WPM2081-3/TR	单p通道，-20V， -4A，功率MOSFET SOT23
WNM2021-3/TR	MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323
WNM3013-3/TR	MOSFET SOT723 N-Channel ID=250mA
WNM4153-3/TR	N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：300mW
WPM3021-8/TR	WPM3021-8/TR
WNM3019-3/TR	小信号n通道，50V, 0.2A, MOSFET
WNM6002-3/TR	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT323