WSD1614DN_WINSOK_微硕_DFN1X0.6-3L_MOSFETs

WSD1614DN 型号参数

WSD1614DN是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如数码相机、电子计算器、电子美容仪、平板电脑、手机充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
WSP6024	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=10mΩ@10V
WST02N20B	MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±25V ID=1.2A RDS(ON)=680mΩ@10V SOT23-3
WSD80120DN56	N沟道漏源电压(Vdss)：85V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：104W
WST3427	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=2.5A RDS(ON)=165mΩ@4.5V SOT23N
WSD3050DN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.5mΩ@10V
WST3404A	N-Ch MOSFET
WSD4038DN	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=38A RDS(ON)=13mΩ@10V
WST2303	MOSFETs P-Channel VDS=-20V VGS=±8V SOT23-3L
WST2335	MOSFET SOT23N P-Channel ID=4.4A
WST6401	P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：0.7W

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