AO3415是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子阅读器、 3D打印机、 网络适配器、 虚拟现实头盔、 扫描仪 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AO3415
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 投影仪、 LED照明灯、 智能手环、 频谱分析仪、 手机充电器、 内存条、 光纤连接器、 网卡 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| 2N7002 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW |
| BSS84 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| MDD2301 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| MDD7N65D | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路 |
| 2N7002K | VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| SI2301S | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) |
| SI2305 | P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A |
| AO3401 | 30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V |
| 2N7002K | VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| SI2302 | MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302 |
