MDD7N65D是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子广告牌、 电子厨房计时器、 电路板、 逆变器、 电子阅读器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：MDD7N65D
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：MOSFETs
- 参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 MP4播放器、 3D打印机、 智能手环、 电子体重秤、 单片机、 视频线材、 电动工具、 LED显示器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| MDD2301 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| 2N7002K | VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| BSS84 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| AO3401 | 30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V |
| MDD7N65D | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路 |
| SI2305 | P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A |
| SI2301S | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) |
| MDD2301 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| 2N7002K | VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| 2N7002 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW |
