GD5F1GQ5REYIGR是品牌GigaDevice兆易创新，研发制造的NAND FLASH产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子厨房计时器、 电子按摩器、 示波器、 不间断电源（UPS）、 智能门锁 ，NAND FLASH与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：GD5F1GQ5REYIGR
- 品牌：兆易创新(GigaDevice)
- 分类：NAND FLASH
- 参数：封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:1.7V~2V 页写入时间(TPP):400us
应用场景
NAND FLASH可应用场景，如 打印机、 汽车电子控制系统、 红外感应器、 RFID读写器、 机械硬盘、 显示器、 摄像机、 集成电路板 等，想要了解更多NAND FLASH相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| GD5F2GM7UEYIGR | 封装:WSON-8(8x6) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us |
| GD5F1GQ5UEYIGY | 封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):400us |
| GD5F1GQ5REYIGR | 封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:1.7V~2V 页写入时间(TPP):400us |
| GD5F1GQ5REYFGR | 封装:WSON-8-EP(6x8) |
| GD5F2GQ5UEYIGR | 封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:2Gbit 时钟频率(fc):104MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us |
| GD9AU2G8F2AMGI | 封装:TSOPI-48 |
| GD25LQ32EEIGR | 封装:USON-8-EP(2x3) 存储容量:32Mbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:1.65V~2V 页写入时间(TPP):400us |
| GD5F1GQ5UEYIGR | 封装:WSON-8-EP(6x8) 存储容量:1Gbit 时钟频率(fc):133MHz 工作电压:2.7V~3.6V 页写入时间(TPP):300us |
