GS1M是品牌MDD辰达半导体，研发制造的二极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 手机、 USB闪存盘、 LED显示器、 电子体温计探头、 微处理器 ，二极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：GS1M
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：二极管
- 参数：封装：SMAG/DO-214AC 参数：PD=400W，VRM=33V，VBR=36.7～40.6V，VC=53.3V
应用场景
二极管可应用场景，如 血糖仪、 电子搅拌器、 数码相机、 扬声器、 电子除湿机、 电子脱毛器、 内存条、 人脸识别设备 等，想要了解更多二极管相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SS5200B | 封装:SMB(DO-214AA) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):850mV@5A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:5A |
| SMBJ24CA | 封装：SMB/DO-214AA 参数：PD=600W，VRM=30V，VBR=33.3～36.8V，VC=48.4V |
| ESD5Z3.3C | 封装：SOD-523参数：84W 4V 双向ESD管Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4V VC=12V IPP=7A IR=1uA CJ=12PF个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 |
| 1N5408 编带 | 封装:DO-201AD 正向压降(Vf):1.2V@3A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:3A 反向电流(Ir):5uA@1kV |
| DSK14 | 封装：SOD-123FL 参数：VR=100V IF=3A VF=0.85V IR=500uA |
| ES3D-SMB | VR=200V IF=3A 45pF Trr=35ns |
| SS3200B | 封装:SMB(DO-214AA) 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):950mV@3A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:3A |
| MBR10100CT | 肖特基二极管 VR=100V IF=10A VF=0.85V IR=1000uA |
| DSK16 | 封装：SOD-123FL 参数：VR=1000V IF=2A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS |
| MBRF20200CT | 封装:ITO-220AB-3 正向压降(Vf):950mV@10A 直流反向耐压(Vr):200V 整流电流:20A |
